증착공정 - (1) 큰 분류와 PVD 증착방식
산업 전문가가 아니라, 투자자가 공부할 목적으로 작성한 자료입니다. SK하이닉스에서 작성해 주신 아래 자료들을 유용하게 활용했습니다. [반도체 특강] 화학적으로 막을 성장시키는 방법, C
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산업 전문가가 아니라, 투자자가 공부할 목적으로 작성한 자료입니다.
CVD도 종류가 아주 다양하다.
PVD와의 차이점이라고 한다면, (이전 글에 다른 내용 제외)
PVD에서 단순히 물리적 상태(고체 →기체 →고체)만을 변화시켜 막을 만드는 것에 비해, CVD는 뜨거운 웨이퍼 표면에서 가스가 반응하여 원료와는 최종적으로 다른 화학적 조성을 갖게 된다고 한다.
아래와 같은 식으로, (1) 가스 상태의 전구체가 들어오고 (2) 가스가 표면에 흡착되고 (3) 부산물 가스가 생겨 밖으로 배출된다.
CVD 기술은 점차 낮은 기압을 가지는 공정으로 발전해왔다고 한다. 진공도가 높을 수록 더 정밀하고 균일한 필름을 만들 수 있다고 한다. (Step Coverage 균일성 개선) 그러나 진공에서는 반응 속도가 떨어져 웨이퍼 온도를 높이는 방식을 사용 했으나, 소재 상의 제한으로 온도를 올리는 것이 제한적. (ex) 알루미늄이 550도가 녹는점인데 알루미늄을 사용한 공정 이후에는 800도 이상의 공정 사용이 불가능.
이러한 온도상의 제한을 극복하기 위해 플라즈마 CVD를 사용. 저온임에도 불구하고 Throughput이 좋으나 막질이 좋지 않은 단점이 생겼다고 한다. 이걸 다시 극복하기 위해 사용하는 방식이 HDPCVD. 플라즈마의 밀도를 올려서 증착과 식각이 동시에 이뤄지니, 박막 품질이 좋아진다고 한다. 이건 도저히 이해가 안간다.
[반도체8대공정] #증착공정(2) _ CVD _ APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD, ALD
반도체 8대공정에서 증착공정은 필요한 영역에 박막을 화학적반응(CVD) or 물리적반응(PVD)을 통해 ...
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[반도체 특강] 화학적으로 막을 성장시키는 방법, CVD(Chemical Vapor Deposition)
2019.04.10 | by 진종문 반도체 칩이 ON/OFF 스위칭의 전기적 신호를 빠른 속도로 처리하려면 막을 얇고 균일하게, 시간 변수에도 오래 버틸 수 있도록 형성해야 합니다. 반도체 트랜지스터를 만들 때
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최근에 쓰이는 것이 ALCVD. Atomic Layer CVD라고 하는데, 원자 단위의 증착을 한다는 뜻. 아무리 재료를 많이 공급해도 박막이 원자 두께로만 증착할 수 있다고 한다. 최근의 미세화 공정에는 당연히 중요도가 더 올라가는 공정.
ALD 박막의 품질 자체는 최고 수준인데, 문제는 박막을 원자 단위로 쌓다보니.... 당연히 속도가 아주 느리다고 한다. 이를 위해서 속도를 올리기 위한 다양한 방식이 연구된다고 한다.
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